2020年1月，中微半導(dǎo)體獲得長江存儲9臺刻蝕機(jī)的訂單，代表著我國在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域有著長足的進(jìn)步。當(dāng)前中美貿(mào)易爭端雖然有所緩解，但是大國博弈的趨勢仍然未改，半導(dǎo)體作為芯片制造的基石，我國雖以進(jìn)行完善的產(chǎn)業(yè)布局，但部分領(lǐng)域尚未突破，半導(dǎo)體設(shè)備作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展重要的一環(huán)，將迎來國產(chǎn)化發(fā)展機(jī)遇。

我國是全球第二大設(shè)備銷售市場，國產(chǎn)化需求突出

根據(jù)SEMI，我國大陸的半導(dǎo)體設(shè)備雖然只占全球市場份額的1%~2%，但是市場需求強(qiáng)勁，且呈快速增長趨勢，2018年我國大陸半導(dǎo)體市場銷售額達(dá)131億美元，首次超過臺灣，占據(jù)全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售量的15%，成為全球第二大設(shè)備市場。當(dāng)前我國巨大的半導(dǎo)體設(shè)備市場和極有限的設(shè)備輸出形成巨大的反差，設(shè)備的應(yīng)用方面依然依賴進(jìn)口，作為信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，集成電路已逐漸成為衡量一個國家或地區(qū)綜合競爭力的重要標(biāo)志和地區(qū)經(jīng)濟(jì)的晴雨表，為擺脫美國在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的掣肘，我國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化需求日益突出。

第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移機(jī)遇，優(yōu)勢企業(yè)不斷受益

從全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程來看，全球已經(jīng)完成兩次明顯的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，第一次是在20世界由美國轉(zhuǎn)向日本，第二次是80年代由韓國轉(zhuǎn)向臺灣，而第三次正逐漸轉(zhuǎn)向我國大陸。根據(jù)恒大產(chǎn)業(yè)研究院，近年我國大陸的集成電路產(chǎn)銷金額接近25%，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢迅猛，全球集成電路的產(chǎn)能正加速向我國大陸轉(zhuǎn)移，全球各大集成電路陸續(xù)在我國設(shè)立工廠和代工廠，2017-2020年間，全球共有62座晶圓廠投產(chǎn)，其中26座位于中國，占據(jù)全球總數(shù)的42%。隨著晶圓廠支出景氣度的延續(xù)，我國在測試設(shè)備、單晶硅生長設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備領(lǐng)域具有行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢的企業(yè)將持續(xù)受益。

本土企業(yè)奮力突破，多領(lǐng)域逆勢擴(kuò)張

晶圓廠的生產(chǎn)分為多個階段，光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、過程工藝控制等，對應(yīng)不同的生產(chǎn)工藝，半導(dǎo)體設(shè)備可分為多個生產(chǎn)領(lǐng)域，其中部分領(lǐng)域我國已經(jīng)取得較好的突破，其他領(lǐng)域也不斷進(jìn)行技術(shù)攻堅。

——測試設(shè)備：部分企業(yè)已然崛起

半導(dǎo)體設(shè)備中，由于測試設(shè)備是更偏向于軟件的領(lǐng)域，憑借著在軟件技術(shù)領(lǐng)域的優(yōu)勢，測試設(shè)備成為國半導(dǎo)體設(shè)備最先突破的領(lǐng)域，目前以華峰、長川科技、中科飛測為代表，已在技術(shù)上取得了一定的突破，并利用成本優(yōu)勢與國際廠商在分離元器件測試、分選機(jī)等領(lǐng)域展開競爭，是當(dāng)前國內(nèi)市場競爭程度較高的一大領(lǐng)域。

——晶圓生產(chǎn)設(shè)備：國際巨頭已然把持市場，國內(nèi)企業(yè)奮力追趕

晶圓生產(chǎn)是半導(dǎo)體生產(chǎn)中較為重要的一環(huán)，而光刻機(jī)和刻蝕機(jī)作為半導(dǎo)體生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備，市場主要有國際巨頭把持，如光刻機(jī)領(lǐng)域，主要由荷蘭的ASML、日本尼康和佳能占據(jù)主要市場份額，刻蝕設(shè)備領(lǐng)域也是Lam Research（市占約為53%）、東電電子（市占約20%）和應(yīng)用材料（市占約19%）占據(jù)主要市場。當(dāng)前，上海微電子的光刻機(jī)已經(jīng)研制并順利通過驗收，成為我國光刻機(jī)的代表；刻蝕機(jī)以中微半導(dǎo)體、華創(chuàng)電子為代表推進(jìn)刻蝕機(jī)技術(shù)不斷攻堅，國產(chǎn)化率不斷上升，成為晶圓生產(chǎn)設(shè)備中國產(chǎn)化率上升最快的半導(dǎo)體設(shè)備，目前中微半導(dǎo)體的7nm生產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入臺積電的生產(chǎn)線。

除去上述半導(dǎo)體生產(chǎn)的關(guān)鍵設(shè)備外，我國在清洗設(shè)備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)和至純科技也均有突破，晶盛機(jī)電的單晶爐、凱世通的離子注入機(jī)等也取得了不錯的業(yè)績。但我國半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化率只有15%，國產(chǎn)化率仍待突破，而且缺乏量產(chǎn)10nm,和在14nm和28nm領(lǐng)域突破的廠商，并在產(chǎn)品的穩(wěn)定性領(lǐng)域與國際巨頭還存在一定的差距，需要長時間的突破和積累。